特許

J-GLOBAL ID：200903023972525826

半導体装置およびその製造方法

発明者： 堤 聡明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-290883
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148589
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 メモリトランジスタの読出時に、コントロールゲートに電圧を印加する必要のない構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 ソース/ドレイン領域10を共用するフローティングゲート9、強誘電体膜11およびコントロールゲート12からなるメモリトランジスタと、読出用ゲート電極3を有するトランジスタとが構成されている。これにより、読出用ゲート電極3に電圧を印加した場合でも、ソース/ドレイン領域10を導通状態にすることができる。

請求項（抜粋）：

所定の幅のチャネル領域を有する導電層と、前記導電層の内部において、前記チャネル領域を挟むように形成された1対の不純物拡散領域と、前記チャネル領域を外側から挟む位置に、第1絶縁膜を介在して形成された第1電極および第2絶縁膜を介在して形成された第2電極と、前記第2電極の前記チャネル領域とは反対側に、層間膜を介在して形成された第3電極と、を備えた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 617 N