水素発生用硫化カドミウム系光触媒の製造方法とそれによる水素の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：亀谷美明 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-504504
公開番号（公開出願番号）：特表2003-502148
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2003年01月21日
要約：

【要約】【課題】経済的側面が強化された還元システムにより,還元剤に対する制限的な活性を画期的に解決し,製造工程がより環境親和的で簡単であり,太陽光線領域でも光触媒が活性を表し,水素生成量が格段に増加し,触媒の寿命が半永久的な水素発生用硫化カドミウム系光触媒の製造方法及びそれによる水素の製造方法を提供することである。【解決手段】下記化学式1で表されるCdS光触媒の製造方法は,Mの値が0.001〜20.00となるように,Cd及びM含有化合物を水に溶解した後,これに反応物としてH2S又はNa2Sを加え,掻き混ぜてCd[M]S沈殿物を得る。この沈殿物を水で洗浄し,洗浄された沈殿物を窒素雰囲気と105〜150°Cの温槽で1.5〜3.0時間窒素気流で真空乾燥させた後,この沈殿物に液相のm含有物を,m含有量が全体光触媒に対して0.10〜5.00重量%となるようにくわえてドーピング処理して光触媒を製造する。[化学式1]m(a)/Cd[M(b)]S前記一般式で,mは電子受容体で,ドーピングされた金属元素を示し,Ni,Pd,Pt,Fe,Ru,Co又はこれらの金属の酸化物よりなる郡のなかから選択された1種以上であり,aはmの重量百分率を示すもので,0.10〜5.00の値を有する。MはV,Cr,Al,P,As,Sb,Pbのなかから選択された助触媒である。bはM/(M+Cd)のモル%を示すもので,0.001〜20.00の値を有する。さらに本発明は,前記光触媒を,電子供与体としてNa2Sを0.05〜1.00モル,還元剤としてNa2SO3を0.05〜1.00モル加えた水と接触させて懸濁させ,光フィルタで調整された可視光線領域の光または太陽光を照射させて反応させることで水素を発生させる。

請求項（抜粋）：

下記化学式6に示され,Mの値が0.001〜20.00モル%となるように,Cd及びM含有化合物を水に溶解した後,これに反応物としてH2S又はNa2Sのいずれか1種を加え,掻き混ぜてCd[M]S沈殿物を得,この沈殿物を水で洗浄し,洗浄された沈殿物を105〜150°Cの温槽で1.5〜3.0時間窒素雰囲気で真空乾燥させた後,前記沈殿物に液相のm含有物を,m含有量が0.10〜5.00重量%となるように加えてドーピング処理することを特徴とするCdS系光触媒の製造方法。 [化学式6] m(a)/Cd[M(b)]S 前記一般式で,mはFe又はFeの酸化物のなかから選択される電子受容体で,ドーピングされた金属を示し,aはmの重量百分率を示すもので,0.10〜5.00の値を有する。MはAs,Sb,Pdのなかから選択された助触媒であり,bはM/(M+Cd)のモル%を示すもので,0.001〜20.00の値を有する。

IPC (6件)：

B01J 27/049 , B01J 27/043 , B01J 27/14 , B01J 35/02 , C01B 3/04 , C01G 11/02

FI (6件)：

B01J 27/049 M , B01J 27/043 M , B01J 27/14 M , B01J 35/02 J , C01B 3/04 A , C01G 11/02

Fターム (24件)：

4G047BA02 , 4G047BB01 , 4G047BC02 , 4G069AA02 , 4G069AA08 , 4G069BA48A , 4G069BB09A , 4G069BB09B , 4G069BB13B , 4G069BC26A , 4G069BC27A , 4G069BC28B , 4G069BC36A , 4G069BC36B , 4G069BC54B , 4G069BC58B , 4G069BC62B , 4G069BC66A , 4G069BC72A , 4G069BC75B , 4G069CC33 , 4G069DA08 , 4G069FB04 , 4G069FB09

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