特許

J-GLOBAL ID：200903023992453708

回折格子の形成方法、回折格子及び光半導体素子

発明者： 中西 宏一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371611
公開番号（公開出願番号）：特開2000-193813
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、工程数の少ないプロセスによって、高さの異なる回折格子を作製できる、回折格子の形成方法、回折格子及び光半導体素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る回折格子の形成方法は、周期的な凹凸を有する回折格子の形成方法において、基板上に周期が一定で被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンを形成する工程と、前記基板を構成する材料に対して化学的異方選択性を有するエッチング方法を用いて前記マスクパターンを該基板に転写する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。好適には、前記被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンは、電子ビーム露光法を用い、ドーズ量を変化させることによって形成される。また前記マスクパターンは、回折格子部分をなすレジスト被覆領域を該レジストで被覆されていない領域で囲み、該レジスト被覆領域を各々孤立させることによって形成される形態が好ましい。

請求項（抜粋）：

周期的な凹凸を有する回折格子の形成方法において、基板上に周期が一定で被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンを形成する工程と、前記基板を構成する材料に対して化学的異方選択性を有するエッチング方法を用いて前記マスクパターンを該基板に転写する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする回折格子の形成方法。

IPC (3件)：

G02B 5/18 ,  G02B 6/122 ,  H01S 5/12

FI (3件)：

G02B 5/18 ,  H01S 3/18 642 ,  G02B 6/12 A

Fターム (17件)：

2H047LA19 ,  2H047PA30 ,  2H049AA03 ,  2H049AA33 ,  2H049AA37 ,  2H049AA44 ,  2H049AA48 ,  2H049AA59 ,  5F073AA21 ,  5F073AA64 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA35 ,  5F073EA13 ,  5F073EA29