特許
J-GLOBAL ID:200903023995844414

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-360163
公開番号(公開出願番号):特開2001-176660
出願日: 1999年12月20日
公開日(公表日): 2001年06月29日
要約:
【要約】【課題】 漏れ電流のない安定した発光効率を維持できる有機EL素子の製造方法及び有機EL素子を提供する。【解決手段】 基板1上に、金属材料層2からなる陽極下部電極(金属下部電極)2a、有機発光層43を備えた有機層4及び光hを透過する陰極上部電極5を順次形成する有機EL素子の製造方法において、有機層4を形成する前に、金属材料層2の表面を鏡面研磨する工程を行う。これによって、陽極下部電極2a上の有機層4の膜厚を均一化し、有機層4を挟んで設けられる陽極下部電極2aと陰極下部電極5との間隔を均一化して漏れ電流の発生を防止する。
請求項(抜粋):
基板上に、金属材料層からなる金属下部電極、有機発光層を備えた有機層及び光を透過させる上部電極を順次形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記有機層を形成する前に、前記金属下部電極を構成する金属材料層の表面を鏡面研磨する工程を行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (3件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26
FI (3件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z
Fターム (10件):
3K007AB00 ,  3K007AB03 ,  3K007AB05 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03

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