半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240290
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083067
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】高出力、低閾値且つ安定な基本横モード発振を可能とした半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】この発明の半導体レーザは、n-GaAs基板1と、上記n-GaAs基板1上に積層されたn-DBR層2と、上記n-DBR層2上に積層され、その発振領域の周辺部が該発振領域に対して導電性が異なるか導電率が小さく且つ屈折率が小さい化合物半導体で構成されたダブルヘテロ活性層3と、上記ダブルヘテロ活性層3上に積層されるp-DBR層6とで構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板上に積層された第1導電型分布ブラッグ反射鏡層と、上記第1導電型分布ブラッグ反射鏡層上に積層され、その発振領域の周辺部が該発振領域に対して導電性が異なるか導電率が小さく且つ屈折率が小さい化合物半導体で構成されたダブルヘテロ構造を有する活性層と、上記活性層上に積層される第2導電型分布ブラッグ反射鏡層と、を具備することを特徴とする半導体レーザ。

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