特許

J-GLOBAL ID：200903023996895039

半導体受光素子

発明者： 戸田 忠夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 辰巳 忠宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-368211
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195810
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】 光吸収層以外の部分での光吸収を減少させることによって、感度の高い半導体受光素子を提供する。【解決手段】 光吸収層14の光入射面17の一部にショットキ電極20を形成し、光吸収層14上の光入射面側の一部であってショットキ電極20が形成されていない窓部22に対応する部分に凹凸構造18を形成する。ショットキー電極20を透過する光とショットキー電極20を透過しないで窓部22を通過する光とが光吸収層14に到達する。窓部22を通過する光は、凹凸構造18によって散乱され、ショットキ電極20近傍の光吸収層14に形成される空乏層30に吸収される割合が高くなる。

請求項（抜粋）：

半導体からなる光吸収層および該光吸収層の光入射面に設けられた接合形成層を備え、前記光吸収層により受光部に入射した光を検知する半導体受光素子であって、前記光吸収層の光入射面の一部に、前記接合形成層を設けない部分を備え、該接合形成層を設けない部分において、前記光吸収層の光入射面に光散乱手段を設けたことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/108 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/10 C ,  H01L 31/10 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-276274
  
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042510   出願人：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
• 特開昭59-105380
  
• 特開昭61-183976