半導体光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257245
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107359
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】広い温度範囲において、ファイバ出力の微分効率ならびに、一定のファイバ出力光強度に対するモニタ電流値の温度変化が小さなLDモジュールを実現し、広い温度範囲で動作可能な半導体光装置を得る。【解決手段】LDモジュール組立時に半導体光素子(LD)と光ファイバとの結合効率が室温よりも高い温度において最大になるように結合系の位置調整を行うことにより、LDからの光出力の微分効率の温度変化を補償するとともに、モニタPD表面の反射率の波長依存性をPD表面に形成する光透過膜の材質,膜厚,層数によって制御し、ファイバ結合効率の温度変化などに起因する一定のファイバ出力値に対するモニタ電流値の温度変化を低減する特性を有せしめる。

請求項（抜粋）：

半導体光素子と光出力監視用受光素子を有する半導体光装置において、受光素子表面の光透過膜の反射率が大きな波長依存性を有し、かつ、室温よりも高い温度において半導体光素子と光ファイバとの結合効率が最大になることを特徴とする半導体光装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-211979
特公昭63-060385
特開昭63-293990

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