特許
J-GLOBAL ID：200903024002124558
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333074
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318710
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 フローティングゲート部のキャパシタンスを減少させることなく、漏れ電流を低減することができると共に、長期に渡って電荷を保持し得る不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供するものである。【構成】 シリコン基板1に、順次シリコン酸化膜2、ポリシリコン層3、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜5を形成した後、ホトレジスト膜6をマスクとしてソース・ドレイン拡散層7a,7bを形成し、フィールド酸化によるシリコン酸化膜2aを形成して、フローティングゲートとなるポリシリコン層3aの表面を露出させてポリシリコン層3aの少なくとも一部を覆い、且つ、ポリシリコン層3aの平面積より大きい平面積を有するポリシリコン層3bを形成し、そのポリシリコン層3bを含む導電性薄膜を絶縁膜8で覆って、絶縁膜8上にコントロールゲート9を形成して不揮発性半導体記憶装置を形成する。
請求項（抜粋）：
フローティングゲートを持つ不揮発性半導体記憶装置に於いて、該フローティングゲートが同質又は異質で電気的に接続された少なくとも二層以上の導電性薄膜からなり、前記導電性薄膜が半導体基板に最も近い第1の導電性薄膜と該第1の導電性薄膜より大きい平面積を持つ第2の導電性薄膜とを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
