特許
J-GLOBAL ID:200903024003736956
セラミック粉末、セラミック電子部品およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
前田 均
, 西出 眞吾
, 大倉 宏一郎
, 佐藤 美樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-355327
公開番号(公開出願番号):特開2007-153721
出願日: 2005年12月08日
公開日(公表日): 2007年06月21日
要約:
【課題】セラミック電子部品の誘電体層の原料として用いられ、高い比誘電率を有し、誘電損失および絶縁不良が低減され、耐電圧に優れ、しかもクラック発生率の改善されたセラミック電子部品を与えることのできるセラミック粉末を提供すること。【解決手段】一般式ABO3 で表され、ペロブスカイト型結晶構造を有する複数のセラミック粒子からなるセラミック粉末であって、複数の前記セラミック粒子が、複数の第1粒子と、複数の第2粒子と、からなり、前記第1粒子は、粒子径が、BET法により求められる比表面積から計算される、セラミック粉末全体の平均粒子径以下で定義される微粒子であり、前記ABO3 中におけるAサイト原子と、Bサイト原子と、のモル比であるA/Bに関し、前記第1粒子のA/Bの平均値をα、前記第2粒子のA/Bの平均値をβとした場合に、前記αとβとの関係が、α≧βであることを特徴とするセラミック粉末。【選択図】なし
請求項(抜粋):
一般式ABO3 で表され、ペロブスカイト型結晶構造を有する複数のセラミック粒子からなるセラミック粉末であって、
複数の前記セラミック粒子が、複数の第1粒子と、複数の第2粒子と、からなり、
前記第1粒子は、粒子径が、BET法により求められる比表面積から計算される、セラミック粉末全体の平均粒子径以下で定義される微粒子であり、
前記ABO3 中におけるAサイト原子と、Bサイト原子と、のモル比であるA/Bに関し、前記第1粒子のA/Bの平均値をα、前記第2粒子のA/Bの平均値をβとした場合に、前記αとβとの関係が、α≧βであることを特徴とするセラミック粉末。
IPC (4件):
C04B 35/46
, H01G 4/12
, H01G 13/00
, C04B 35/00
FI (5件):
C04B35/46 D
, H01G4/12 358
, H01G4/12 364
, H01G13/00 391E
, C04B35/00 J
Fターム (35件):
4G030AA08
, 4G030AA09
, 4G030AA10
, 4G030AA16
, 4G030AA17
, 4G030BA09
, 4G030CA04
, 4G030CA08
, 4G030GA27
, 4G031AA04
, 4G031AA05
, 4G031AA06
, 4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031BA09
, 4G031CA04
, 4G031CA08
, 4G031GA06
, 5E001AB03
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AH01
, 5E001AH05
, 5E001AH09
, 5E001AJ02
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082BB07
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082FF05
, 5E082FG04
, 5E082FG46
, 5E082MM11
, 5E082MM13
引用特許:
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