特許
J-GLOBAL ID：200903024009078691
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-144918
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056052
出願日： 1986年02月28日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 電流狭窄構造と光導波構造を自己整合的に形成することができ、且つクラッド層の凸部形成プロセスの難しさや電流阻止層の結晶性低下等の問題を解決し、素子特性の向上及び信頼性の向上をはかる。【構成】 n-GaAs基板11と、n-InGaAlPクラッド層14,InGaP活性層15及びストライプ状凸部を有したp-InGaAlPクラッド層からなり、基板11上に形成されたDH構造部と、DH構造部上にクラッド層凸部を除いて形成されたn-GaAs電流阻止層21と、p-InGaAlPクラッド層上に形成されたp-GaAsコンタクト層20,22とを備えた半導体レーザにおいて、p-InGaAlPクラッド層を3層構造に形成し、中間の第2クラッド層のバンドギャップを第1,第3クラッド層のそれよりも小さく、且つ活性層15のそれよりも大きくした。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、第1導電型クラッド層,活性層及びストライプ状の凸部を有した第2導電型クラッド層からなり、上記半導体基板上に形成されたダブルヘテロ接合構造部と、このダブルヘテロ接合構造部上に第2導電型クラッド層の凸部の少なくとも一部を除いて形成された電流阻止層と、前記第2導電型クラッド層上に形成された第2導電型コンタクト層とを具備した半導体レーザ装置において、前記第2導電型クラッド層は、前記活性層に接した第1クラッド層と、この第1クラッド層上に形成された、該クラッド層よりもバンドギャップが小さく前記活性層よりもバンドギャップが大きい第2クラッド層と、この第2クラッド層上に形成されて前記凸部を構成する、第2クラッド層よりもバンドギャップが大きい第3クラッド層とからなることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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