特許
J-GLOBAL ID：200903024014384539
化合物半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263515
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125123
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体装置に、数オーム〜数十オームの低抵抗値の抵抗領域を再現性良く容易に且つ小面積に形成できるようにする。【構成】 GaAs基板1の上に絶縁膜としてのSiN膜2を介して金属配線層が形成されている。該金属配線層は下層のTi膜3と上層のAu膜4とからなるTi/Au2層構造を有している。金属配線層には局部的にレーザー光が照射されることによりレーザー光照射領域6が形成されており、該レーザー光照射領域6においては、レーザー光の熱によりTi膜3とAu膜4との界面においてTiとAuとが合金化して抵抗率が上昇しており、熱処理されていない領域よりも抵抗値が大きくなっている。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、該化合物半導体基板上に直接又は絶縁膜を介して形成されたTi/Au2層構造を有する金属配線層とを備え、該金属配線層は、該金属配線層の所定領域が局部的に熱処理されることにより形成され、配線抵抗率が熱処理されていない領域よりも大きい抵抗領域を有していることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
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