特許

J-GLOBAL ID：200903024014921909

薄膜トランジスタおよびその製造方法並びにこれを搭載した液晶表示装置

発明者： 井上 和式 ,  薮下 宏二 ,  江口 泰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-327294
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173191
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 下地とのオーミックコンタクト特性の低下、アルカリ性溶液中で画素電極を構成するITO膜との電池反応によるITO膜の腐食、および生産性の低下を誘発せずに、比抵抗が小さい材料を主構成要素として構成されたソース配線、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタを得ることにより、高開口率な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、半導体層4、オーミックコンタクト層5を順次形成する。次にAl- 12. 5at%Mo/Al- 0.2at%Cu/Crからなる三層膜を順次形成し、レジストを用いてAl- 12.5at%Mo膜とAl- 0. 2at%Cu膜を同時にエッチングしパターン形成する。次にCr膜をエッチングしてソース電極6、ドレイン電極7を形成する。次にチャネル部8を形成することにより薄膜トランジスタを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された制御電極と、上記制御電極上に絶縁膜を介して設けられた半導体層と、上記半導体層上に形成され、最下層が高融点金属膜、中間層がAlまたはAl合金膜、最上層がAlに高融点金属を添加した合金膜である三層構造を有し、上記半導体層と共に半導体素子を構成する一対の電極を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 616 U ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 K