特許

J-GLOBAL ID：200903024020049164

絶縁ゲイト型半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦 ,  張 宏勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-252305
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154754
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 OFF電流を低減するための構造を有する薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置を作製する。【解決手段】 絶縁基板上の絶縁被膜中にリンまたはホウ素の不純物を含ませ、熱処理により、絶縁被膜上のチャネルとなる熱アニールにより結晶化された多結晶シリコン膜中へリンまたはホウ素の不純物を拡散させたオフセット構造を持った薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置を構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に形成され、リンまたはホウ素が選択的に導入された領域が形成された酸化珪素膜と、前記酸化珪素膜上に、ソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域にはさまれたチャネル形成領域とを有するシリコン膜と、前記シリコン膜の前記チャネル形成領域上にゲイト絶縁膜を介して設けられオフセット領域を有するよう配置されたゲイト電極とを有し、前記シリコン膜の前記チャネル形成領域は熱アニールにより結晶化されていることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 618 E ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-214668
  
• 特開昭58-115864
  
• 特開昭60-170972
  
• 特開昭60-126867