特許

J-GLOBAL ID：200903024022431996

半導体レーザ素子

発明者： 田中 俊明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316266
公開番号（公開出願番号）：特開平7-170023
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 主にII-VI族半導体レーザにおいて素子の動作電圧や微分抵抗を低減する。【構成】 n型GaAs傾角基板1上にC1ドープn型ZnSeバッファ層,Clドープn型ZnSzSe1-zバッファ層3,Clドープn型MgyZn1-ySzSe1-z光導波層4,アンドープCdxZn1-xSe/ZnSzSe1-z歪量子井戸構造活性層5,Nドープp型MgyZn1-ySzSe1-z光導波層6,7,Nドープp型Mgy3Zn1-y3Sz3Se1-z3光導波層8,Nドープp型ZnSzSe1-zバッファ層9,Nドープp型ZnSzSe1-z/p型ZnSαTe1-α超格子層10を順次エピタキシャル成長させ,エッチング加工でリッジストライプ状メサを形成する。次に、Nドープp型ZnSαTe1-αバッファ兼光吸収層11を成長させて平坦化し、続いてNドープp型ZnTe/p型ZnSαTe1-α超格子層12,Nドープp型ZnTeコンタクト層13をエピタキシャル成長させる。電極14,15蒸着後、劈開して素子の形状に切り出す。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、分子線エピタキシー(MBE)法又は有機金属気相成長(MOCVD)法により成長された禁制帯幅の大きな光導波層とそれに挾まれた禁制帯幅の小さい発光活性層からなるダブルヘテロ接合構造を備え、該光導波層のヘテロ構造における価電子帯或いは伝導帯側のバンド不連続を緩和する特定の材料からなるバッファ層を設け、該バッファ層の禁制帯幅は該活性層よりも小さく該バッファ層が横モードを制御する屈折率導波構造を形成する光吸収層としても働くことを兼ねるか、又は該バッファ層と該光吸収層は伝導型が異なるだけで同じ材料により形成されることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00