特許
J-GLOBAL ID：200903024022808119
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-358885
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182965
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 メッキ処理において発生する気泡によるメッキムラを防止する。【構成】 半導体基板1は垂直支持ヘッド16によって垂直に支持され、処理槽3の開口部5に押付けられている。処理槽3は貯液槽2と壁を共用するように隣接して配置されている。貯液槽2内で一定温度とされたメッキ液は処理槽3の底部から導入され、処理槽3で半導体基板1に対するメッキ処理に用いられた後に、オーバフロー用開口6から貯蔵槽2に戻される。ノズル4から半導体基板1の表面には混合ガス導入部9から導入された混合ガスがバブリングされる。
請求項（抜粋）：
被処理基板表面を処理液に接触させることによって前記被処理基板表面に配線パターンを生成する半導体製造装置であって、前記処理液を加温しかつ貯蔵する貯蔵槽と、前記貯蔵槽に隣接して配設され、前記貯蔵槽に対向する側面に前記被処理基板表面に前記処理液を接触させるための開口部を有する処理槽と、記被処理基板を垂直に保持して前記被処理基板表面を前記開口部に押付ける保持機構とを設けたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, C23C 18/31
, C25D 7/12
, C25D 17/06
, H01L 21/288
