特許
J-GLOBAL ID：200903024026766003
半導体装置の構造及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198693
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045726
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置における素子のオン抵抗を減少させるため、ウエハの厚さを薄くし歩留りの向上を図る。【解決手段】 パッド電極5を形成した半導体ウエハ1と、熱抵抗小、絶縁抵抗大なる強度保持板7を複数の貫通穴10、配線層8、9を介して第1の半田11により接着し、半導体チップ2の裏面金属層6を介してリードフレーム電極12と、また強度保持板7と配線層8、9を経てリードフレームの他の電極14と第2の半田13、第3の半田15により接続してなる半導体装置の構造。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ表面の能動領域に少なくとも1個のパッド電極を有し、前記半導体ウエハの表裏方向に電流を流す構造を用いる半導体チップを形成した半導体装置の構造において、熱抵抗が小さく絶縁抵抗が大なる強度保持板と、前記強度保持板に穿設され前記パッド電極に対応した複数の貫通穴と、前記強度保持板の下面に、前記半導体チップのパッド電極に対応して形成した低電気抵抗金属からなる第1の配線層と、前記強度保持板の上面に、前記複数の貫通孔に対応して形成した低電気抵抗金属からなる第2の配線層と、前記貫通孔内に充填した低電気抵抗金属充填材により、前記第1の配線層と第2の配線層間の接続、及び、前記パッド電極と対向する前記第1の配線層との電気的接続を行なう第1の接続手段と、前記半導体チップの下面に形成され、この半導体チップとの間でオーミック接触性を有し、前記接続手段との間に濡れ性を有する裏面金属層と、前記半導体装置を実装すべきリードフレーム、若しくは、モジュールパッケージの電極と、前記裏面金属層を接続する第2の接続手段と、前記強度保持板の上面において、前記第1、第2の配線層と前記リードフレーム、若しくは、モジュールパッケージの他の電極とを、電気的に接続する第3の接続手段を有することを特徴とする半導体装置の構造。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/50
H01L 21/60 311 Q
, H01L 23/50 S
