特許
J-GLOBAL ID：200903024027180258
コンタクトプラグ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069155
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 平坦性に優れたコンタクトプラグを形成する。【構成】 コンタクト孔を有する下地基板11,12,13上に、密着層14を形成する。W15を全面堆積し表面を酸化することでW酸化膜16を形成する。次に、熱処理することでW酸化部16を除去し、表面モフォロジーを改善する。その後、エッチバックする。表面モフォロジーに起因するW残渣が少なくなるので、オーバーエッチ時間の短縮が可能となる。したがって、コンタクトプラグ部のW厚減少がなく、平坦性に優れたコンタクトプラグを形成できる。
請求項（抜粋）：
コンタクト孔を有する下地基板上に、タングステンを全面堆積する工程、次に前記タングステンの表面を酸化したのち、真空中での熱処理により前記タングステンの酸化層を除去する工程、その後、前記タングステンを全面エッチングする工程を備えたことを特徴とするコンタクトプラグ形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/90
