特許
J-GLOBAL ID:200903024028558840
固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-094374
公開番号(公開出願番号):特開2008-252004
出願日: 2007年03月30日
公開日(公表日): 2008年10月16日
要約:
【課題】一対の電極と、これらに挟まれた光電変換膜とを含む固体撮像素子において、製造過程に起因する劣化や製造後の経時劣化を極力防ぐことが可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】基板上方に配列された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部の各々の上方に形成されたカラーフィルタとを有する固体撮像素子100であって、前記光電変換部が、基板上方に形成された下部電極7と、下部電極7上に形成された光電変換膜9と、光電変換膜9上に形成された上部電極10とを含んで構成され、上部電極10上に形成された前記光電変換部を保護するために原子層堆積法(ALD法)によって形成された保護膜11と、上部電極10と保護膜11の間にALD法以外の方法(スパッタ法)によって形成されたALD法に起因する前記光電変換部の特性劣化を防止するための保護膜15と、保護膜11上に形成された保護膜11の機能を強化するための高分子材料膜12とを備える。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板上方に配列された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部の各々の上方に形成されたカラーフィルタとを有する固体撮像素子であって、
前記光電変換部が、前記基板上方に形成された下部電極と、前記下部電極上方に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜上方に形成された上部電極とを含んで構成され、
前記上部電極上方で且つ前記カラーフィルタ下方に第1の方法によって形成された前記光電変換部を保護するための第1の無機材料膜と、
前記上部電極と前記第1の無機材料膜の間に前記第1の方法以外の第2の方法によって形成された前記第1の方法に起因する前記光電変換部の特性劣化を防止するための第2の無機材料膜と、
前記第1の無機材料膜上に形成された前記第1の無機材料膜の機能を強化するための高分子材料膜とを備える固体撮像素子。
IPC (3件):
H01L 27/146
, H01L 31/024
, H01L 51/42
FI (3件):
H01L27/14 E
, H01L31/08 H
, H01L31/08 T
Fターム (31件):
4M118AA08
, 4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA14
, 4M118CA32
, 4M118CB05
, 4M118CB14
, 4M118CB20
, 4M118GC07
, 4M118GC14
, 4M118GC20
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5F088AA11
, 5F088AB11
, 5F088BA11
, 5F088BB03
, 5F088CA05
, 5F088EA04
, 5F088EA08
, 5F088FA04
, 5F088FA05
, 5F088GA03
, 5F088HA05
, 5F088HA12
, 5F088KA03
, 5F088KA08
, 5F088LA03
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
有機半導体製画像センサ
公報種別:公表公報
出願番号:特願2000-529741
出願人:ユニアックスコーポレイション
-
国際公開第01/082390号パンフレット(図4)
審査官引用 (5件)
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