特許
J-GLOBAL ID：200903024029744469

半導体装置における接続孔の形成方法

発明者：
宮本 孝章

宮本 孝章 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-166434
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349792
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】TiNから成る密着層の形成の前に、下層配線層の表面に形成されたTiON層上に存在するチタンを含有した不純物を除去し得る接続孔の形成方法を提供する。【構成】接続孔の形成方法は、(イ)表面にTiN層又はTiON層14が形成された下層配線層12上に絶縁層20を形成した後、下層配線層の上方の絶縁層に開口部22を形成する工程と、(ロ)開口部22の底部に露出したTiN層又はTiON層14の表面に存在するチタンを含有した不純物16を、かかる不純物と反応し得るガスを用いて除去する工程、を含む。
請求項（抜粋）：
(イ)表面にTiN層又はTiON層が形成された下層配線層上に絶縁層を形成した後、該下層配線層の上方の絶縁層に開口部を形成する工程と、(ロ)該開口部の底部に露出したTiN層又はTiON層の表面に存在するチタンを含有した不純物を、かかる不純物と反応し得るガスを用いて除去する工程、を含むことを特徴とする半導体装置における接続孔の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/302 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90
FI (2件)：
H01L 21/88 A ,  H01L 21/88 M
引用特許：
審査官引用 (4件)
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