ドライエッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-308361
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163475
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【構成】真空容器内にエッチングガスを導入して発生させたプラズマにより、試料台上に載置した半導体基板上に形成されたレジストによるマスクパターンで覆われたシリコン酸化膜をエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスとしてフルオロカーボンガスとCOとの混合ガスを用いるドライエッチング方法。【効果】エッチング速度を高くでき、レジスト膜のエッチング速度に対するSiO2膜のエッチング速度の比(エッチング選択比)も高くすることができ、かつエッチング速度等の再現性を良好なものにすることができる。

請求項（抜粋）：

真空容器内にエッチングガスを導入し、発生させたプラズマにより試料台上に載置した半導体基板上に形成されたレジストによるマスクパターンで覆われたシリコン酸化膜をエッチングするドライエッチング方法において、前記エッチングガスとしてフルオロカーボンガスとCOとの混合ガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭64-025419
特開平2-001912
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-159044 出願人：シヤープ株式会社

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