特許

J-GLOBAL ID：200903024034515729

記憶装置

発明者： 林 美志夫
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-334407
公開番号（公開出願番号）：特開2000-163985
出願日： 1998年11月25日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 何れかのメモリセルが故障しても自己救済手段を有する記憶装置。【解決手段】 ?@アドレス信号を入力してメモリ部の指定番地のメモリセルを特定し、ライト信号で入力データをメモリ部の指定番地のメモリセルに記憶し、リード信号でメモリ部の指定番地のデータを出力する記憶装置であって、?Aメモリ部のメモリセルを分割した複数のメモリブロックと、?Bメモリブロックと同じ容量を有する予備メモリブロックと任意のメモリブロックとの切替手段を有し、何れかのメモリブロックが故障すると当該故障メモリブロックを予備メモリブロックに切り換えるリぺア手段とを具備する記憶装置である。

請求項（抜粋）：

アドレス信号を入力してメモリ部の指定番地のメモリセルを特定し、ライト信号で入力データをメモリ部の指定番地のメモリセルに記憶し、リード信号でメモリ部の指定番地のデータを出力する記憶装置において、メモリ部のメモリセルを分割した複数のメモリブロックと、メモリブロックと同じ容量を有する予備メモリブロックを備え、該予備のメモリブロックと任意のメモリブロックとの切替手段を有し、何れかのメモリブロックが故障すると当該故障メモリブロックを予備メモリブロックに切り換えるリペア手段と、を具備することを特徴とする記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 601 ,  G06F 12/16 310

FI (2件)：

G11C 29/00 601 B ,  G06F 12/16 310 P

Fターム (9件)：

5B018GA06 ,  5B018HA05 ,  5B018KA13 ,  5B018KA18 ,  5B018NA01 ,  5B018QA13 ,  5L106CC16 ,  5L106EE02 ,  5L106GG00