特許
J-GLOBAL ID：200903024035420969
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216627
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168942
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】 素子のより一層の微細化と高集積化を図った際においても、信頼性を高めることを可能にした半導体装置を提供する。【構成】 配線2中を配線幅方向に横切り、電流導通時に原子もしくは空孔の障壁となる複数の障壁部1を備える半導体装置である.隣り合う障壁部1の間隔Rは、R≦Rc′(ただし、Rc′は電流導通時にエレクトロマイグレーションにより配線を流れる正味の原子もしくは空孔の流束Js がエレクトロマイグレーションによる本来の原子もしくは空孔の流束J0 の 30%となる臨界長さ)である。
請求項（抜粋）：
配線中を配線幅方向に横切り、電流導通時に原子もしくは空孔の障壁となる複数の障壁部を備え、前記隣り合う障壁部の間隔Rが、R≦Rc′(ただし、Rc′は電流導通時にエレクトロマイグレーションにより配線を流れる正味の原子もしくは空孔の流束Js がエレクトロマイグレーションによる本来の原子もしくは空孔の流束J0 の 30%となる臨界長さ)であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/82
H01L 21/88 B
, H01L 21/88 M
, H01L 21/82 W
