特許
J-GLOBAL ID：200903024038204558

電気光学装置

発明者：
佐藤 尚

佐藤 尚 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122602
公開番号（公開出願番号）：特開2001-305581
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：
【要約】【課題】 電気光学装置において、画素開口率を高めつつ走査線の低抵抗化と蓄積容量の増大とを同時に図り且つ斜めの入射光や戻り光に対する遮光性能を高めることにより、高品位の画像表示を行う。【解決手段】 電気光学装置は、TFTアレイ基板(10)上に、画素電極(9a)と、画素電極をスイッチング制御するTFT(30)と、このTFTに接続されたデータ線(6a)とを備える。TFTのゲート電極(3a)は、各画素毎に島状に形成され、走査線を兼ねるストライプ状の内蔵遮光膜(41)に接続される。ゲート電極と同一膜からなる第1容量電極(13)と、第2容量電極(33)とから蓄積容量(70)が構成される。第2容量電極は、容量線を兼ねる第1遮光膜(11a)に接続される。
請求項（抜粋）：
基板上に、画素電極と、該画素電極に接続されており画素毎に島状に分断された導電膜からなるゲート電極を備えた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されたデータ線と、前記薄膜トランジスタの上層側で前記データ線に交差して伸びると共に前記ゲート電極に対して層間絶縁膜を介して積層されており且つ各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する導電性の上層遮光膜とを備えており、前記上層遮光膜は、前記ゲート電極に接続されて走査線を兼ねることを特徴とする電気光学装置。
IPC (5件)：
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 619 B
Fターム (66件)：
2H091FA34Y ,  2H091FB08 ,  2H091FD04 ,  2H091GA02 ,  2H091LA03 ,  2H091LA13 ,  2H092HA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA38 ,  2H092JA46 ,  2H092JB23 ,  2H092JB53 ,  2H092JB54 ,  2H092JB64 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB23 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092NA01 ,  2H092NA07 ,  2H092NA28 ,  2H092QA06 ,  2H092QA07 ,  2H092QA15 ,  2H092RA05 ,  5C094AA06 ,  5C094AA09 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094ED15 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE09 ,  5F110EE27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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