特許

J-GLOBAL ID：200903024040742311

GaN系発光素子

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-091682
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286506
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】単一の製造工程により多色発光分布を有する半導体活性層を形成することにより、活性層全体としての発光色の調節の自由度を高め、あるいは白色発光を得ることを可能とする。【解決手段】基板上に形成したV字型溝内に形成したGaN1-y Asy またはGaN1-x Pxを活性層として用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成したV字型溝内にGaN1-y Asy 活性層またはGaN1-x Px 活性層を設けたことを特徴とするGaN系発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/24 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 673 ,  H01S 3/18 667 ,  H01L 33/00 C

Fターム (21件)：

5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16 ,  5F073AA20 ,  5F073AA55 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073DA05