光吸収膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204578
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050674
出願日： 1996年08月02日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】高い光吸収能力を有する光吸収膜を安全かつ低コストで、制御の容易な工程を用いて、歩留り良く形成する方法を提供する。【解決手段】シリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜の上方にシリコン-酸素間の結合エネルギーより小なる結合エネルギーを有するシリコン化合物ガス(例えばSiBr4ガスまたはSiF4ガス)を導入する工程と、酸素ガスを導入し、前記シリコン化合物ガスと空間で反応させて酸化シリコンを形成しつつ反応系の圧力を上昇させながら前記シリコン膜上に前記酸化シリコンを付着させる工程と、成分に炭素を含まず、シリコン酸化物に比較してシリコンに対するエッチングレートが大きな特性を持つ混合ガス(例えば水素化臭素、三弗化窒素及び酸素の混合ガス)を用いて、前記シリコン膜に対してリアクティブ・イオン・エッチングを行う工程と、を順に施す光吸収膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

光吸収膜を形成する基体上にシリコン膜を成膜する工程と、前記シリコン膜をエッチング容器内に設置し、前記シリコン膜の上方にシリコン-酸素間の結合エネルギーより小なる結合エネルギーを有するシリコン化合物ガスを前記エッチング容器内に導入する工程と、酸素ガスを前記エッチング容器内に導入し、前記シリコン化合物ガスと空間で反応させて酸化シリコンを形成しつつ前記エッチング容器内の圧力を上昇させながら前記シリコン膜上に前記酸化シリコンを付着させる工程と、成分に炭素を含まず、かつ1種もしくは複数のガスからなり、シリコン酸化物に比較してシリコンに対するエッチングレートが大きな特性を持つ混合ガスを前記エッチング容器内に導入する工程と、前記混合ガスを用いて前記シリコン酸化物が付着した前記シリコン膜に対してリアクティブ・イオン・エッチングを行う工程と、を順に施すことを特徴とする光吸収膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H01L 31/04 , H01L 31/0248 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 J , H01L 21/205 , H05H 1/46 A , H01L 31/04 X , H01L 31/08 G

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