半導体レーザ素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-010518
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205247
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】製造歩留りが向上し、また、素子特性も向上する埋込型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に活性層領域14を有するストライプ状凸部16を形成し、また、他の基板21上に少なくとも、前記活性層領域14よりもバンドギャップが大きく、かつ屈折率が小さい半導体からなる電流狭窄層25を積層して、前記電流狭窄層25中にストライプ状凹部26を形成し、前記凸部16と前記凹部26を嵌め合わせ、接合し、前記凸部16の活性層14の側面を前記凹部26の電流狭窄層25の側面で覆う。

請求項（抜粋）：

基板上に活性層を有するストライプ状凸部を形成し、また、他の基板上に少なくとも、前記活性層よりもバンドギャップが大きく、かつ屈折率が小さい半導体からなる電流狭窄層を積層して、前記電流狭窄層中にストライプ状凹部を形成し、前記凸部と前記凹部を嵌め合わせ、接合し、前記凸部の活性層の側面を前記凹部の電流狭窄層の側面で覆うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

前のページに戻る