特許

J-GLOBAL ID：200903024044881804

結晶欠陥計測方法及び結晶欠陥計測装置

発明者： 前嶋 宗郎 ,  武田 一男 ,  根本 勲 ,  松井 繁 ,  児玉 佳孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-026134
公開番号（公開出願番号）：特開平11-223607
出願日： 1998年02月06日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 試料の厚さむらや試料移動ステージの精度上の問題によって試料表面が上下動したとしても常に一定の精度で試料の内部欠陥の測定を行う。【解決手段】移動する試料15の表面に照射光学系4,8から試料に対する侵入深さが異なる2波長の光ビームを斜方入射させ、試料の内部から発生する2波長の散乱光を試料表面の上方に配置された検出光学系9で検出して試料の内部欠陥を計測する。照射光学系及び検出光学系よりも試料の移動方向上流側に静電容量式の距離測定手段14を配置し、試料表面の高さを計測する。距離測定手段によって高さ測定された試料上の測定点が検出光学系9の下方に到達したとき、照射光学系及び検出光学系が測定点に対して予め定められた配置となるように圧電素子11,12,13により照射光学系及び検出光学系の高さ位置を制御する。

請求項（抜粋）：

移動する試料の表面に照射光学系から試料に対する侵入深さが異なる2波長の光ビームを斜方入射させ、試料の内部から発生する前記2波長の散乱光を前記試料表面の上方に配置された検出光学系で検出して試料の内部欠陥を計測する結晶欠陥計測方法において、前記照射光学系及び検出光学系よりも試料の移動方向上流側に配置した静電容量式の距離測定手段によって試料表面の高さを計測するステップと、前記距離測定手段によって高さ測定された試料上の測定点が前記検出光学系の下方に到達したとき、前記照射光学系及び検出光学系が前記測定点に対して予め定められた配置となるように前記試料に対する前記照射光学系及び検出光学系の高さ位置を制御するステップとを含むことを特徴とする結晶欠陥計測方法。

IPC (4件)：

G01N 21/88 ,  G01N 21/25 ,  G01N 21/47 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01N 21/88 E ,  G01N 21/25 ,  G01N 21/47 Z ,  H01L 21/66 N ,  H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 欠陥検査装置及び光学走査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172550   出願人：コニカ株式会社