特許
J-GLOBAL ID:200903024046756004

ソルダーレジスト形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 正緒
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-035230
公開番号(公開出願番号):特開2000-236037
出願日: 1999年02月15日
公開日(公表日): 2000年08月29日
要約:
【要約】【課題】 ソルダーレジストの開口部に露出した配線部にメッキを施す際に、浸透性の高いシアン系のAuメッキ液を使用しても剥離が発生しない、信頼性の高いソルダーレジストを形成する方法を提供する。【解決手段】 化学エッチング法等により配線基板1の配線部3の表面を粗面4とし、その配線基板1の表面上にソルダーレジスト6をパターニングした後、得られた開口部7を有するソルダーレジスト6を窒素等の不活性ガス雰囲気中でキュアする。配線部3はキュアによっても酸化されず、ソルダーレジスト6との密着力を維持するので、開口部7から露出した配線部4にAuメッキ又はSnメッキ等のメッキ層8を形成しても、ソルダーレジスト6が剥離しない。
請求項(抜粋):
半導体パッケージ用部材の配線部上に開口部を有するソルダーレジストを形成するに際して、配線部表面を粗面化し、その半導体パッケージ用部材の表面上にソルダーレジストをパターニングした後、得られた開口部を有するソルダーレジストを不活性ガス雰囲気中でキュアすることを特徴とするソルダーレジスト形成方法。

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