特許
J-GLOBAL ID:200903024047926728

半導体製造・検査装置用セラミック基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 安富 康男 ,  重平 和信
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-037070
公開番号(公開出願番号):特開2004-168658
出願日: 2004年02月13日
公開日(公表日): 2004年06月17日
要約:
【課題】 焼結性が良好で高密度であり、内部の気孔径が小さく、焼結体を構成する粒子同士が強固に接合されているので、研磨によっても粒子が殆ど脱落せず、平坦な表面が形成された半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供すること。【解決手段】 セラミック基板の内部または表面に導電体が形成されたセラミック基板において、前記セラミック基板の表面の光沢度は、2%以上であることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
セラミック基板の表面または内部に導電体が形成されてなる半導体製造・検査装置用セラミック基板であって、 前記セラミック基板は、その破壊断面が粒子内破壊となるように焼結されてなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。
IPC (2件):
C04B35/581 ,  H01L21/68
FI (3件):
C04B35/58 104Y ,  H01L21/68 R ,  C04B35/58 104Q
Fターム (21件):
4G001BA03 ,  4G001BA04 ,  4G001BA36 ,  4G001BA73 ,  4G001BB03 ,  4G001BB04 ,  4G001BB36 ,  4G001BB73 ,  4G001BC02 ,  4G001BC17 ,  4G001BD14 ,  4G001BD38 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA08 ,  5F031HA18 ,  5F031HA37 ,  5F031HA39 ,  5F031MA33 ,  5F031PA11

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