特許
J-GLOBAL ID：200903024049070014
鉛系強誘電体薄膜とその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-119683
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333419
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 基板上に外部からの原料供給によって成膜し、成膜中または成膜後に結晶化のために薄膜を加熱する鉛系強誘電体薄膜の作製において、熱処理中に鉛損失が起こらず、結晶が微細 (結晶粒径1000Å以下) で均一であり、表面が平坦で表面性状に優れ、薄膜全体にわたって特性が均一な、均質性に優れた鉛系強誘電体薄膜を得る。【構成】 Pbを含有せず、Tiを含有する数Å程度のTi含有層 (Ti金属、TiO2、またはSrTiO3などの複合酸化物) を基板表面に形成してから成膜を行う。このTi含有層は、Pt/Ti/SiO2/Si 基板の焼成によるTiのPt層への拡散、或いは蒸着やゾルゲル法などにより形成できる。
請求項（抜粋）：
基板上に外部からの原料供給によって成膜し、成膜中または成膜後に薄膜結晶化のための基板の加熱を行う鉛系強誘電体薄膜の作製方法において、Pbを含有せず、Tiを金属または酸化物として含有するTi含有層を基板表面に形成してから成膜を行うことを特徴とする、鉛系強誘電体薄膜の作製方法。
IPC (6件)：
H01B 3/00
, C01G 23/00
, C23C 14/08
, C23C 14/14
, C23C 16/22
, C30B 5/00
