特許

J-GLOBAL ID：200903024052810851

薄膜半導体装置

発明者： 竹村 保彦 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-168642
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340122
出願日： 1990年11月30日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 複数のコプレナー型半導体装置からなる薄膜半導体装置を得ること。【構成】 複数のコプレナー型半導体装置の各々の活性層を、それぞれの半導体装置に共通する一つの半導体層内に配置する。

請求項（抜粋）：

複数のコプレナー型半導体装置からなる薄膜半導体装置において前記コプレナー型半導体装置の活性層が同一の半導体層からなることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 627 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-218070
  
• 特開平3-074880