特許
J-GLOBAL ID：200903024055163512
化合物半導体薄膜形成方法および太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338878
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181000
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 大面積の化合物半導体薄膜を容易に形成できる方法、およびこの方法を利用して大面積の太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】 基板上に、有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液を塗布した後、非金属元素の水素化物またはその誘導体を含有する還元性雰囲気中で熱処理することにより、有機金属化合物から金属を遊離させるとともに非金属元素水素化物またはその誘導体と反応させて、化合物半導体薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液を塗布した後、非金属元素の水素化物またはその誘導体を含有する還元性雰囲気中で熱処理することにより、前記有機金属化合物から金属を遊離させるとともに前記非金属元素水素化物またはその誘導体と反応させて、化合物半導体薄膜を形成することを特徴とする化合物半導体薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, C23C 18/12
, H01L 31/04
H01L 21/20
, C23C 18/12
, H01L 31/04 V
, H01L 31/04 E
