特許

J-GLOBAL ID：200903024065253650

シリコンウエハー液晶ディスプレイ及びその製造方法

発明者： 莊 立聖
出願人/特許権者： 財団法人工業技術研究院
代理人 (1件)： 竹本 松司 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-076186
公開番号（公開出願番号）：特開2002-229066
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウエハー液晶ディスプレイ及びその製造方法の提供。【解決手段】 特殊な共電極構造をシリンウエハーの反射ライトバルブ内に引用し、各一つの共電極構造が、近隣の二つの画素電極のギャップ上方に形成された共電極、即ちメジャー共電極と、該二つの主要電極の間に等間隔に設けられた複数の共電極、即ちマイナー共電極とを包括する。この共電極構造の特殊な幾何構造が最良のフリンジフィールドを形成し、伝統的なシリコンウエハー表示技術における不良なコントラストと低い光有効率の問題を解決し、大場に画像品質を改善する。この画素電極と共電極には同じ金属材料を使用可能で、共電極電圧シフトの問題を解消する。このシリコンウエハー液晶ディスプレイの製造工程は簡単で、製造コストも低い。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハー液晶ディスプレイにおいて、一つの上層ガラス基板と、駆動回路と電圧制御用の主動スイッチ組成を具えた一つの下層のシリコンウエハー基板と、複数の画素電極を有し該シリコンウエハー基板の上方に形成され、各画素電極がいずれも該シリコンウエハー基板に設けられた主動スイッチ素子により電圧制御され、且つ各二つの近隣の画素電極の間に一つのギャップがある、一つの画素電極層と、この画素電極層の上方に塗布された一つの絶縁層と、複数の共電極構造とされ、この絶縁層の上方に形成され、単一画素領域にあって、各一つの共電極構造が近隣の二つの画素電極のギャップの上方に形成された二つの共電極、即ちメジャー共電極を具えた、複数の共電極構造と、該上層ガラス基板の内側と複数の共電極構造の上方にそれぞれ塗布された二つの配向層と、二つの配向層の間に充填された一つの液晶層と、を具えたことを特徴とする、シリコンウエハー液晶ディスプレイ。

IPC (4件)：

G02F 1/1368 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/1337 ,  G09F 9/30 338

FI (4件)：

G02F 1/1368 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/1337 ,  G09F 9/30 338

Fターム (36件)：

2H090HA03 ,  2H090HD14 ,  2H090LA01 ,  2H090MA02 ,  2H090MA07 ,  2H090MA10 ,  2H092GA20 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092HA06 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092MA05 ,  2H092MA17 ,  2H092NA01 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H093NA32 ,  2H093NA33 ,  2H093NA34 ,  2H093ND04 ,  2H093ND33 ,  2H093ND36 ,  5C094AA02 ,  5C094AA44 ,  5C094BA02 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094EB05 ,  5C094FB14