特許

J-GLOBAL ID：200903024076178439

低温成膜用ITOタ-ゲツト

発明者： 吉村 了治 ,  小川 展弘 ,  毛利 隆
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-090048
公開番号（公開出願番号）：特開平5-112866
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】【構成】 焼結密度80%以上100%以下、且つ焼結粒径5μm以上30μm以下のITO焼結体タ-ゲットに関し、この焼結体は、ITO粉末成型体を1450°C以上で焼結させることにより得られる。【効果】 本発明のITO焼結体タ-ゲットは焼結密度が高く、焼結粒径を大きくすることにより、膜の結晶化を促進するスパッタ粒子中の酸素原子が増大され、低温基板上に高透明で低抵抗な透明導電膜を形成することが可能である。

請求項（抜粋）：

焼結密度80%以上100%以下、且つ焼結粒径5μm以上30μm以下のITO焼結体タ-ゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00