成膜用リング、半導体装置の製造装置、および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-056453
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251800
出願日： 2004年03月01日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】基板あるいは基板の上方に形成された微細でアスペクト比の高い凹部を、その形成された位置に拘らず、殆ど隙間なく、かつ、容易に埋め込むことができる成膜用リングを提供する。【解決手段】成膜用リングは、絶縁性を有する材料により形成されるリング本体14を具備する。リング本体14は、プラズマ状態の原料ガスを用いる成膜処理が施される基板2の縁部に沿う環形状で、かつ、内縁部14aがその外側の部分よりも高く形成されている。それとともに、リング本体14は、内縁部14aの上面が基板2の成膜処理が施される側の主面2aと同等以下の高さに配置される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁性を有する材料により、プラズマ状態の原料ガスを用いる成膜処理が施される基板の縁部に沿う環形状で、かつ、内縁部がその外側の部分よりも高く形成されているとともに、前記内縁部の上面が前記基板の前記成膜処理が施される側の主面と同等以下の高さに配置されるリング本体、を具備することを特徴とする成膜用リング。

IPC (1件)：

H01L21/31

FI (1件)：

H01L21/31 C

Fターム (7件)：

5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045DP02 , 5F045DQ10 , 5F045EM03

引用特許：

出願人引用 (4件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273140 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマエッチング装置用フォーカスリング
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-180171 出願人：三菱マテリアル株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-044255 出願人：東京エレクトロン株式会社

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審査官引用 (1件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-331558 出願人：東京エレクトロン株式会社

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