半導体装置およびその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253825
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094751
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】歪み点(歪み温度)が750°C以下の材料のガラス基板上に形成された特性、信頼性の良好な薄膜トランジスタ(TFT)およびそれを形成する方法を提供する。【構成】基板上に形成された100〜1000Åのシリコン膜を熱的に酸化させ、生じた酸化物によってTFTのゲイト絶縁膜を形成する。このとき、基板に熱的なダメージを与えないように、水蒸気を含んだ雰囲気、あるいは2〜10気圧の高圧の酸素雰囲気中で加熱することによって酸化反応を促進させることによって、550〜650°Cという低温で酸化をおこなう。さらに、酸化工程後に、一酸化窒素および/またはアンモニアによって酸化膜中の珪素-水素結合(Si-H) を、珪素-窒素 (Si≡N)もしくは珪素-窒化水素結合 (Si=NH 、Si-NH2) に置き換えることによって、ゲイト絶縁膜をホットエレクトロン等に耐えられるだけの丈夫なものとする。

請求項（抜粋）：

1500Å以下の厚さを有する活性層を酸化せしめ、前記活性層の厚さを50Å以上減少せしめるとともに、前記活性層の絶縁性酸化物により構成されたゲイト絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/316 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-039070
特開平2-224340
特開昭62-145775

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