特許

J-GLOBAL ID：200903024087373918

半導体装置

発明者： 小引 通博 ,  中西 真美子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260127
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102336
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 集積度が高く、高性能,高信頼性の半導体装置を得る。【構成】 複数の絶縁性基板12〜15を積層して側面が階段状のキャビティ20内に導電板18を設け、この導電板18上および第1層絶縁性基板12上に半導体チップ16を接着するとともに、多層絶縁性基板にバイアホール21を形成したことを特徴としている。【効果】 半導体チップの集積度が向上し、半導体チップにバイアホールを介して任意の電位が印加でき、高性能,高信頼性の半導体装置を実現できる。

請求項（抜粋）：

メタライズされたパターンを有する複数の絶縁性基板を積層して側面が上方に次第に開く階段状のキャビティを構成し、第2層目以上の絶縁性基板のそれぞれにまたがって導電板を配置し、第1層目の絶縁性基板上および前記導電板上のそれぞれに半導体チップを載置するとともに、前記各半導体チップと前記各絶縁性基板のメタライズ部とをワイヤボンディングしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/12 E ,  H01L 23/12 N ,  H01L 25/04 Z