特許

J-GLOBAL ID：200903024091042152

マグネトロンスパッタ装置

発明者： 横山 康弘
出願人/特許権者： 株式会社富士電機総合研究所
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-154267
公開番号（公開出願番号）：特開平9-003645
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：

【要約】【目的】グロー放電により発生するプラズマを高密度にするための磁界の基板面に対する状態変化により膜質が不均一になるのを防ぎ、大面積のスパッタ成膜を可能にする。【構成】陰極としてのターゲットの一部分と対向する陽極と磁石を一緒に往復して成膜面上を移動可能にする。これにより成膜面に対する磁界の状態変化が均一化され、大面積の均一なスパッタ成膜が可能になる。

請求項（抜粋）：

被成膜基板にターゲットを対向させ、ターゲット上の陰極に陽極を対向させ、陰極、陽極間に電圧を印加してグロー放電を発生させると共に、両電極間の電界に直交する磁界を印加して基板表面上にターゲット材料よりなる膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において、陽極と磁界を作るための磁石とが共通の支持体上に支持され、その支持体を磁石の両極を結ぶ方向に往復して移動させる機構を備えたことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。

IPC (3件)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C23C 14/35 C ,  C23C 14/56 E ,  H01L 21/203 S