特許

J-GLOBAL ID：200903024091765332

第3級アミン化合物およびそれを使用した有機半導体装置

発明者： 西尾 徹也
出願人/特許権者： 西尾 徹也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-209725
公開番号（公開出願番号）：特開2004-346082
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】 低抵抗で導電性が長期に安定する第3級アミン化合物およびその第3級アミン化合物を用いた低電圧駆動で高信頼性の有機半導体装置を提供する。【解決手段】 少なくとも2つ以上の電極を有する有機半導体装置において、半導体層を構成する有機成分のうち少なくとも一成分として、一般式(1)及至一般式(11)のいずれか1で示される第3級アミン化合物を主として形成された構成を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一般式(1)で表される第3級アミン化合物。

IPC (11件)：

C07D209/08 ,  C07D209/18 ,  C07D231/56 ,  C07D233/61 ,  C07D239/70 ,  C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

FI (11件)：

C07D209/08 ,  C07D209/18 ,  C07D231/56 Z ,  C07D233/61 101 ,  C07D239/70 ,  C07D519/00 311 ,  H05B33/14 B ,  H05B33/22 D ,  H05B33/26 Z ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B

Fターム (25件)：

3K007AB05 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4C072MM02 ,  4C204BB09 ,  4C204CB03 ,  4C204DB07 ,  4C204DB16 ,  4C204DB24 ,  4C204EB02 ,  4C204EB03 ,  4C204FB16 ,  4C204GB01 ,  5F110AA14 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特許第6562982号
  
• 芳香族メチリデン化合物、及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-028881   出願人：松下電器産業株式会社
• 芳香族メチリデン化合物、それを製造するためのメチルスチリル化合物、及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-028876   出願人：松下電器産業株式会社
• 特許第6562982号