特許

J-GLOBAL ID：200903024094513199

レジストパターンの形成方法

発明者： 池田 隆洋
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250408
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092608
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】被加工基板上のレジストパターンの、とりわけチップ内の寸法ばらつきを抑制する。【解決手段】シリコンウエハー1上にノボラック樹脂とナフトキノンジアジド感光剤よりなるポジ型フォトレジストをスピン塗布しベーキングを行って、フォトレジスト層2を形成した後、パターン露光を行い、その後、アクリル酸-アクリルアミド-IPNゲルの微粒子7を懸濁させたテトラメチルアンモニウム(TMAH)0.14M水溶液8をフォトレジスト層2上に滴下し、この状態でウエハを静止保持した後、TMAH水溶液8をゲル微粒子7ごと洗い流すことにより所望のレジストパターンを得た。

請求項（抜粋）：

被加工基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジストをパターン露光する工程と、前記レジスト上に、架橋された高分子よりなり、かつ現像液を吸収して膨潤する能力を持つ膨潤膜を形成する工程と、該膨潤膜を介して前記レジスト層に現像液を供給する工程とを具備することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 502 ,  G03F 7/30

FI (4件)：

H01L 21/30 569 F ,  G03F 7/11 502 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 575