特許
J-GLOBAL ID：200903024096588650
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-094261
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283925
出願日： 1996年04月16日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】ボールグリッドアレイの微細ピッチ化とパッケージサイズの小型化を可能とし、かつ、接続信頼性の向上を実現させることを可能とする半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子14を搭載し、外部回路に実装されるボールグリッドアレイの半導体装置において、金属板1の片面にボールグリッドアレイの半田バンプ形成用の窪み5を形成し、該窪みに半田層、導体金属層を電解めっきで形成した後、前記金属板上に絶縁層8,11、配線層9,12を必要回数繰り返して多層配線回路板を作製し、半導体素子14を実装、樹脂封止した後、前記金属板をエッチング除去して半田バンプ17を形成した半導体装置及びその製造方法である。
請求項（抜粋）：
半導体素子を搭載し、外部回路に実装されるボールグリッドアレイの半導体装置において、金属板の片面にボールグリッドアレイの半田バンプ形成用の窪みを形成し、該窪みに半田層、導体金属層を電解めっきで形成した後、前記金属板上に絶縁層、配線層を必要回数繰り返して多層配線回路板を作製し、半導体素子を実装、樹脂封止した後、前記金属板をエッチング除去して半田バンプを形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K 3/46 E
, H01L 23/12 L
