特許
J-GLOBAL ID：200903024098375165
半導体放射線検出器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-330928
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160147
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【構成】 複数のCdTe放射線検出素子がアルミナ基板を介して積層され、アルミナ基板上に形成された導電パタ-ンと各CdTe放射線検出素子の電極とが電気的に接続され、各導電パタ-ンと最上層のCdTe放射線検出素子の電極とから電極端子が取り出され、各CdTe放射線検出素子に並列にバイアス電圧がかかるように構成されたCdTe放射線検出器。【効果】 500KeV以上の高エネルギ-の放射線を効率良く吸収できる。
請求項（抜粋）：
複数の半導体放射線検出素子が絶縁性基板を介して積層され、該絶縁性基板上に形成された導電層と該各半導体放射線検出素子の電極とが電気的に接続され、該導電層と最上層の半導体放射線検出素子の電極とから電極端子が取り出され、各半導体放射線検出素子に並列にバイアス電圧がかかるように構成されていることを特徴とする半導体放射線検出器。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
