特許

J-GLOBAL ID：200903024101506969

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 桐澤 亮平
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-084497
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302787
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】この発明は、高集積化に適したNAND型の不揮発性半導体メモリ装置を提供しようとするものである。【構成】 複数の配線BL1,BL2 と、これらの配線BL1,BL2 の相互間各々に配設され、複数のメモリセルから構成され、互いに直列接続されたセルブロックA,B とを具備する。そして、セルブロックAからデ-タの読み出しを行う時、このセルブロックAに隣接する一方の配線BL2 をビット線として利用し、他方の配線BL1をソ-ス線として利用するように、セルブロックの選択状態に応じて配線の機能をビット線およびソ-ス線のいずれかに切り換えるように構成したことを主要な特徴としている。この構成であると、格別にソ-ス線を形成設する必要が無くなるとともに、ソ-ス線用コンタクト孔も排除できるので高集積化に適する。

請求項（抜粋）：

互いに直列接続され、それぞれ複数のメモリセルから構成される少なくとも2つの第1、第2のセルブロックと、前記第1のセルブロックに接続された第1の配線と、前記第2のセルブロックに接続された第2の配線とを具備し、前記第1、第2のセルブロックのいずれか一方のメモリセルからデ-タの読み出しを行う時、他方のセルブロックのメモリセルを全て導通状態とし、セルブロックの選択状態に応じて、前記第1、第2の配線の機能をそれぞれ、ビット線とソ-ス線とで相互的に切り換えるように構成したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  G11C 16/06 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 309 C ,  H01L 29/78 371