特許
J-GLOBAL ID：200903024104641280
太陽電池及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244939
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063219
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 特性が良好で、且つ実使用時の耐久性の高い太陽電池と、この太陽電池を歩留まりよく製造できる製造方法を提供する。【構成】 基体101上に半導体層103、104、105を堆積してなる薄膜の太陽電池において、前記半導体の上部に高分子樹脂からなるパッシベーション層107をコーティングし、該パッシベ-ション層の上に導電性ペーストからなる集電電極108を積層したことを特徴とする。また、基体上に半導体層を堆積してなる薄膜の太陽電池製造方法において、前記半導体層の上部に高分子樹脂からなるパッシベーション層をコーティングし、該パッシベーション層の上に前記高分子樹脂を溶解し得る成分を含有する導電性ペーストからなる集電電極を積層することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基体上に半導体層を堆積してなる薄膜の太陽電池において、前記半導体層の上部に高分子樹脂からなるパッシベーション層をコーティングし、該パッシベ-ション層の上に導電性ペーストからなる集電電極を積層したことを特徴とする太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 M
