特許
J-GLOBAL ID：200903024114690025
MOSトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250018
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104429
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 ゲート絶縁膜が薄くなってもバンド間トンネル電流が発生しにくく、かつ、ゲート絶縁耐量の向上した信頼性の高いMOSトランジスタを提供する。【構成】 ゲート絶縁膜2、2aがゲート電極3のドレイン領域8側端部または両端部において、他の部分よりも厚く形成されてなるMOSトランジスタ。また、ドレイン領域8と半導体基板1のあいだに、半導体基板と同じ導電型の中濃度不純物領域10を形成してゲート電極3との耐圧より基板1との耐圧を低くする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、該ゲート電極の両側の半導体基板にソース領域とドレイン領域が形成され、少なくともドレイン領域のゲート領域側が低濃度不純物領域とされているMOSトランジスタであって、前記ゲート絶縁膜が前記ゲート電極の少なくともドレイン側端部において、他の部分よりも厚く形成されてなるMOSトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 L
