特許

J-GLOBAL ID：200903024117091157

酸化物薄膜、電子デバイス用基板および酸化物薄膜の形成方法

発明者： 矢野 義彦 ,  野口 隆男
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-093024
公開番号（公開出願番号）：特開平8-109099
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】 結晶性および表面性の良好なZrO2 を主成分とするエピタキシャル酸化物薄膜、この酸化物薄膜を備える電子デバイス用基板、および上記酸化物薄膜の形成方法を提供する。【構成】 本発明の組成Zr1-x Rx O2-δ(ここで、RはYを含む希土類金属であり、x=0〜0.75である。また、δは0〜0.5である。)酸化物薄膜は、Si単結晶基板上に形成され、エピタキシャル膜であり、その(002)面または(111)面の反射のロッキングカーブの半値幅が1.5°以下で、かつ基準長さ500nmでの十点平均粗さRz が0.60nm以下である。また、本発明の組成ZrO2 の酸化物薄膜は、Siの単結晶基板上に形成され、単一配向エピタキシャル膜である。

請求項（抜粋）：

Si単結晶基板上に形成され、組成Zr1-x Rx O2-δ(ここで、RはYを含む希土類金属であり、x=0〜0.75である。また、δは0〜0.5である。)のエピタキシャル膜であり、その(002)面または(111)面の反射のロッキングカーブの半値幅が1.5°以下で、かつ表面の少なくとも80%が、基準長さ500nmでの十点平均粗さRz が0.60nm以下であることを特徴とする酸化物薄膜。

IPC (5件)：

C30B 29/22 ,  C30B 29/22 501 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/314

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-082585