特許
J-GLOBAL ID：200903024121980365
化合物半導体単結晶の製造装置及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195846
公開番号（公開出願番号）：特開平5-221772
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年08月31日
要約：
【要約】【目的】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するAB型化合物半導体単結晶を双晶欠陥の発生を少なくして製造する。【構成】ボートの長手方向に垂直な断面形状が半円型であるボートを用いて、GaAs種結晶1をボート2の所定の位置に、種結晶1の<100>方向Aと水平方向Bとのなす角を下方へθ=10°傾けて設置する。このとき、種結晶1の結晶成長方向からみて、前記A方向に垂直な(100)等価面3に隣接する(111)As等価面4Aの一つを(100)等価面3の上方になるようにして、結晶を育成した。種結晶の方位を<100>方向でθ=0 ゚とした場合に多発した双晶欠陥はほとんど発生せず安定して結晶を育成することができた。
請求項（抜粋）：
閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するAB型化合物半導体単結晶をボート法により製造する装置において、前記AB型化合物半導体単結晶の<100>方向に等価な一つの方向が種結晶の結晶成長面側に設けてあり、前記<100>方向に等価な一つの方向は、ボートの種結晶設置部から底面方向に向かっておりかつボートの水平方向に対して5 ゚〜30 ゚傾けられていることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置。
IPC (2件)：
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