特許

J-GLOBAL ID：200903024122129383

垂直スタック型フィールド・プログラマブル不揮発性メモリおよびその製造方法

発明者： ジョンソン,マーク・ジイ ,  リー,トーマス・エイチ ,  サブラマニアン,ヴィヴェック ,  ファームウォルド,ピイ・マイケル ,  クリーブス,ジェイムズ・エム
出願人/特許権者： マトリックス セミコンダクター インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-583042
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530850
出願日： 1999年04月29日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：

【要約】非常に高密度のフィールド・プログラマブル・メモリを開示する。基板上にいくつかの層(51a1、51a2、51b2)を使用して垂直方向にアレーを形成し、それぞれの層(51a1)が垂直に作製されたメモリ・セルを有する。N段にされたアレーのセルはN+1回のマスキング・ステップおよびコンタクトに必要なマスキング・ステップで形成することができる。セルフアラインメント技術を最大限に使用することがフォトリソグラフィによる制限を最小限にする。ある実施形態においては、周辺回路はシリコン基板に形成され、N段のアレーが基板の上に作製される。

請求項（抜粋）：

ステアリング部を介し一方の方向へ流れる電流を多くするためのステアリング部と、 プログラムした状態を保持するための状態変化部とを有し、 ステアリング部と状態変化部とが2端子のセルとなるようにこの状態変化部が直列にステアリング部に接続され、 ステアリング部と状態変化部が互いに垂直方向に整列されているメモリ・セル。

Fターム (12件)：

5F083CR12 ,  5F083CR13 ,  5F083CR14 ,  5F083GA10 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083KA20 ,  5F083PR29 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52