特許
J-GLOBAL ID：200903024123688416
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338554
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188452
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】発光部の高密度化、光出力の均一化を実現することができ、且つ製造しやすく実装しやすい半導体発光装置を提供する。【構成】本発明は、少なくとも発光ダイオードの発光層23と、該発光層を発光させるための電極27,28を含む積層構造よりなり、積層端面2aより光出力が得られる端面発光型発光ダイオードを、等間隔に設けた複数の第一分離溝11により各層を電気的・空間的に分離して形成した発光ダイオードアレイ2により構成した半導体発光装置において、前記端面発光型発光ダイオードの光出射端面2a前方の基板1形状を出射光束の角度θと幾何学的に関係したテラス(29)状に形成したことを特徴とする。【効果】光出射端面前方の基板形状をテラス状に形成したことで、光出射端面の形状を均一にすることができ、発光部の高密度化、光出力の均一化を図れる。
請求項（抜粋）：
少なくとも発光ダイオードの発光層と、該発光層を発光させるための電極を含む積層構造よりなり、積層端面より光出力が得られる端面発光型発光ダイオードを、等間隔に設けた複数の第一分離溝により各層を電気的・空間的に分離して形成した発光ダイオードアレイにより構成した半導体発光装置において、前記端面発光型発光ダイオードの光出射端面前方の基板形状を出射光束の角度θと幾何学的に関係したテラス状に形成したことを特徴とする半導体発光装置。
引用特許：
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