特許
J-GLOBAL ID：200903024125383230
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-125167
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329708
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 微細パターン形成にあたり高真空中で高速エッチングできるエッチング技術を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 処理室内に、アルミニウム膜、タングステン膜、タングステンシリサイド膜、銅膜、GaAs膜、シリコン窒化膜の何れかの第1の膜が形成された半導体基体を設置する工程と、前記処理室内にガスを供給し、前記ガスをプラズマ化し、前記プラズマにより、前記第1の膜をエッチング除去し、前記処理室内のガスを実効排気速度500l/s以上で排気することを特徴とする半導体装置の製造方法。【効果】 1mTorr以下の高真空下で高いイオンの方向性を保ちながら、1000nm/min以上の高いエッチング速度を得ることができる。
請求項（抜粋）：
処理室内に、アルミニウム膜、タングステン膜、タングステンシリサイド膜、銅膜、GaAs膜、シリコン窒化膜の何れかの第1の膜が形成された半導体基体を設置する工程と、前記処理室内にガスを供給し、前記ガスをプラズマ化し、前記処理室内のガスを実効排気速度500l/s以上で排気しながら、前記プラズマにより前記第1の膜を選択エッチングする工程とから成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (30件)：
5F004AA01
, 5F004AA02
, 5F004AA03
, 5F004AA13
, 5F004BA04
, 5F004BA09
, 5F004BA14
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004BB18
, 5F004BB19
, 5F004BB25
, 5F004BC02
, 5F004BC03
, 5F004BD03
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA04
, 5F004CA06
, 5F004CA09
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA16
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004DB03
, 5F004DB09
, 5F004DB26
, 5F004EA06
